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BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

RDK-747

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EVAL BOARD FOR INN3679C

BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1

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零件编号 :

BSP135H6327XTSA1

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
35722 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 01 - Dec 05 2024
PDF格式
BSP135H6327XTSA1 PDF
类型 描述
系列:SIPMOS®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:120mA (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):0V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 94µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4.9 nC @ 5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:146 pF @ 25 V
场效应管特征:Depletion Mode
功耗(最大值):1.8W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-223-4
包/箱:TO-261-4, TO-261AA
BSP135H6327XTSA1 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 BSP135H6327XTSA1 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为BSP135H6327XTSA1 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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