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TK190U65Z,RQ

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零件编号 :: TK190U65Z,RQ

制造商: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

描述: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 14000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

类型	描述
系列:	DTMOSVI
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	15A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 610µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 300 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	130W (Tc)
工作温度:	150°C
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	TOLL
包/箱:	8-PowerSFN

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