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MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

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零件编号 :

ALD111933SAL

制造商
Advanced Linear Devices, Inc.
描述
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
790579 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
PDF格式
ALD111933SAL PDF
类型 描述
系列:EPAD®
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):10.6V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:-
rds on (max) @ id, vgs:500Ohm @ 5.9V
vgs(th) (最大值) @ id:3.35V @ 1µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:2.5pF @ 5V
功率 - 最大值:500mW
工作温度:0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:8-SOIC
ALD111933SAL 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 ALD111933SAL 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为ALD111933SAL 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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