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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - DDR3L |
| 内存大小: | 8Gb (512M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 933 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 1.275V ~ 1.425V |
| 工作温度: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 96-TFBGA |
| 供应商设备包: | 96-FBGA (9x13.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY15B016J-SXETCypress Semiconductor |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
93LC66AT-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8MSOP |
|
7007L15JG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PLCC |
|
S25FS064SDSMFB013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
CY7C136-25NCRochester Electronics |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 52PQFP |
|
STK11C88-SF45Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC |
|
25AA080B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8DIP |
|
AS7C1026B-12JCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
71V65803S133BGGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
AT25XE321D-SHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
CY7C149-45PCRochester Electronics |
IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP |
|
8103607SARochester Electronics |
8103607 - OT PLD, 30NS |
|
M95020-WMN6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8SO |
