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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MXSMIO™ |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NOR |
| 内存大小: | 32Mb (4M x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 104 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 300µs, 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
71256S70TDBRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP |
|
S-24C256CI-T8T1U4ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP |
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S25FS512SAGNFV013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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BR24G32NUX-3ATTRROHM Semiconductor |
IC EEPROM 32KBIT VSON008X2030 |
|
CY7C128A-45SCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 2KX8, 45NS, CMOS |
|
CY7C1360A-150ACRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
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MSR820AJC288-12MoSys |
IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGA |
|
CY7C1470V25-167BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
IS42S32160F-75ETLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II |
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CY7C1069AV33-10ZXCRochester Electronics |
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II |
|
IS43LR32400G-6BL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA |
|
BR25A512F-3MGE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 512KBIT SPI 10MHZ 8SOP |
|
71V67803S166PFRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
