TP65H035G4WS

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零件编号 :: TP65H035G4WS

制造商: Transphorm

描述: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10503 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Apr 01 - Apr 05 2025

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	46.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4.8V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 0 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1500 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	156W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-247-3
包/箱:	TO-247-3

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