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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MX63U |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH, RAM |
| 技术: | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| 内存大小: | 1Gb (128M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 533 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 320µs |
| 访问时间: | 25 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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S99FL164KBIS0Cypress Semiconductor |
IC FLASH NOR |
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MT29F128G08CBCABH6-6M:A TRMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA |
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40060108Cypress Semiconductor |
IC MEM NOR |
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PC28F256P33B2EMicron Technology |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 52MHZ |
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7006L25JRenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
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IS61NVP25672-200B1I-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA |
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A2C00062738 ACypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR |
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MX29LV400CBXBI-55QMacronix |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA |
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MT29F512G08AUCBBH8-6:B TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA |
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709379L7PFG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 100TQFP |
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MT29F256G08CJABAWP:BMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PARALLEL 48TSOP |
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A2C00061887 ACypress Semiconductor |
IC GATE NOR |
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70V06L20JI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
