类型 | 描述 |
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系列: | SiT3372, Elite Platform™ |
包裹: | Strip |
零件状态: | Active |
基谐振器: | MEMS |
类型: | VCXO |
频率: | 51.2 MHz |
功能: | - |
输出: | LVDS |
电压 - 电源: | 2.5V |
频率稳定性: | ±35ppm |
绝对拉力范围(四月): | ±60ppm |
工作温度: | -40°C ~ 85°C |
扩频带宽: | - |
电流 - 供应(最大): | 84mA |
收视率: | - |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 6-SMD, No Lead |
尺寸/尺寸: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
坐姿高度(最大): | 0.031" (0.80mm) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
SiT3372AC-2E3-28NC14.400000XSiTime |
XTAL OSC VCXO 14.4000MHZ LVDS |
|
SiT3372AC-2E2-25NZ25.000000TSiTime |
XTAL OSC VCXO 25.0000MHZ LVDS |
|
SiT3372AC-4B9-28NH75.000000XSiTime |
XTAL OSC VCXO 75.0000MHZ HCSL |
|
SiT3373AI-1B3-25NX281.000000YSiTime |
XTAL OSC VCXO 281.0000MHZ LVPECL |
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SIT1602BI-33-30S-6.000000TSiTime |
MEMS OSC XO 6.0000MHZ H/LV-CMOS |
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SG-8018CB 113.333333M-TJHPA0Epson |
XTAL OSC XO 113.333333MHZ CMOS S |
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QTM216E-20.000MBE-TQST |
2.0X1.6 LOW EMI 3.3V 50PPM (-40 |
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SiT9365AI-4B3-28N168.040678YSiTime |
XTAL OSC XO 168.040678MHZ HCSL |
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SIT1602BI-72-33N-26.000000DSiTime |
MEMS OSC XO 26.0000MHZ H/LV-CMOS |
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SIT1602BI-72-18N-8.192000ESiTime |
MEMS OSC XO 8.1920MHZ H/LV-CMOS |
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SIT1602BC-83-30E-74.176000TSiTime |
MEMS OSC XO 74.1760MHZ H/LV-CMOS |
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SiT3372AI-2B3-33NE35.437431XSiTime |
XTAL OSC VCXO 35.437431MHZ LVDS |
|
SIT9120AI-2C1-XXE212.500000YSiTime |
MEMS OSC XO 212.5000MHZ LVDS SMD |