类型 | 描述 |
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系列: | SiT9365, Elite Platform™ |
包裹: | Strip |
零件状态: | Active |
基谐振器: | MEMS |
类型: | XO (Standard) |
频率: | 62.5 MHz |
功能: | - |
输出: | LVDS |
电压 - 电源: | 3.3V |
频率稳定性: | ±50ppm |
绝对拉力范围(四月): | - |
工作温度: | -20°C ~ 70°C |
扩频带宽: | - |
电流 - 供应(最大): | - |
收视率: | - |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 6-SMD, No Lead Exposed Pad |
尺寸/尺寸: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
坐姿高度(最大): | 0.039" (1.00mm) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
SiT3373AC-4E9-30NY614.000000TSiTime |
XTAL OSC VCXO 614.0000MHZ HCSL |
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SiT3372AI-4E3-25NG10.240000TSiTime |
XTAL OSC VCXO 10.2400MHZ HCSL |
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SIT1602BC-82-XXE-33.333000YSiTime |
MEMS OSC XO 33.3330MHZ H/LV-CMOS |
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SiT3372AI-1E3-30NZ128.000000YSiTime |
XTAL OSC VCXO 128.0000MHZ LVPECL |
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AX7DBF3-1000.0000TAbracon |
XTAL OSC XO 1.0000GHZ LVDS SMD |
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SiT3373AC-4B9-33NZ614.000000XSiTime |
XTAL OSC VCXO 614.0000MHZ HCSL |
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QTM216E-25.000MDE-TQST |
2.0X1.6 LOW EMI 1.8V 50PPM (-40 |
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SIT8208AI-33-28S-8.192000YSiTime |
MEMS OSC XO 8.1920MHZ LVCM LVTTL |
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SiT3372AI-4B3-30NY100.000000YSiTime |
XTAL OSC VCXO 100.0000MHZ HCSL |
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AOCJY4B-13.000MHZ-EAbracon |
XTAL OSC VCOCXO 13.0000MHZ CMOS |
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SiT3372AC-4E3-33NG74.175820YSiTime |
XTAL OSC VCXO 74.17582MHZ HCSL |
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SIT1602BC-13-XXE-35.840000ESiTime |
MEMS OSC XO 35.8400MHZ H/LV-CMOS |
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SiT3373AC-2E3-30NY312.500000YSiTime |
XTAL OSC VCXO 312.5000MHZ LVDS |