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WNSC08650T6J

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零件编号 :: WNSC08650T6J

制造商: WeEn Semiconductors Co., Ltd

描述: SILICON CARBIDE POWER DIODE

目录: 二极管 - 整流器 - 单

可用性: 13000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 02 - Nov 06 2025

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
二极管型:	Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向 (vr) (max):	650 V
电流 - 平均整流 (io):	8A
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:	1.7 V @ 8 A
速度:	No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr):	0 ns
电流 - 反向泄漏@ vr:	50 µA @ 650 V
电容@vr, f:	267pF @ 1V, 1MHz
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	4-VDFN Exposed Pad
供应商设备包:	5-DFN (8x8)
工作温度 - 结:	175°C (Max)

WNSC08650T6J 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 WNSC08650T6J 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为WNSC08650T6J 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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