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DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

NSB8DTHE3_A/P

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

NSB8DTHE3_A/P

制造商
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
描述
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
目录
二极管 - 整流器 - 单
可用性
392239 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 12 - Nov 16 2024
PDF格式
NSB8DTHE3_A/P PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101
包裹:Tube
零件状态:Active
二极管型:Standard
电压 - 直流反向 (vr) (max):200 V
电流 - 平均整流 (io):8A
电压 - 正向 (vf) (max) @ if:1.1 V @ 8 A
速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr):-
电流 - 反向泄漏@ vr:10 µA @ 200 V
电容@vr, f:55pF @ 4V, 1MHz
安装类型:Surface Mount
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包:TO-263AB
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
NSB8DTHE3_A/P 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NSB8DTHE3_A/P 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NSB8DTHE3_A/P 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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