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SILICON CARBIDE DIODE - TO-220

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零件编号 :

VS-C12ET07T-M3

制造商
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
描述
SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
目录
二极管 - 射频
可用性
10992 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 27 - Dec 01 2024
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
二极管型:Schottky - Single
电压 - 反向峰值（最大值）:650V
当前 - 最大值:12 A
电容@vr, f:515pF @ 1V, 1MHz
阻力@如果，f:-
功耗（最大值）:68 W
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
包/箱:TO-220-2
供应商设备包:TO-220AC
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