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EMB3T2R

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零件编号 :: EMB3T2R

制造商: ROHM Semiconductor

描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列，预偏置

可用性: 14604 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 26 - Dec 30 2024

PDF格式: EMB3T2R PDF

类型	描述
系列:	*
包裹:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	50V
电阻器 - 基极 (r1):	4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 (r2):	-
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	-
频率转换:	250MHz
功率 - 最大值:	150mW
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SOT-563, SOT-666
供应商设备包:	EMT6

EMB3T2R 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 EMB3T2R 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为EMB3T2R 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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