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NSS40300DDR2G

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零件编号 :: NSS40300DDR2G

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列

可用性: 545000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Feb 21 - Feb 25 2025

PDF格式: NSS40300DDR2G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	2 PNP (Dual)
电流 - 集电极 (ic) (max):	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	40V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	170mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	180 @ 1A, 2V
功率 - 最大值:	653mW
频率转换:	100MHz
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOIC

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