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NJX1675PDR2G

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零件编号 :

NJX1675PDR2G

制造商
Rochester Electronics
描述
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列
可用性
239921 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
NJX1675PDR2G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
晶体管型:NPN, PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值):30V
vce 饱和度(最大值)@ ib, ic:115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大值):100nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:180 @ 1A, 2V
功率 - 最大值:2W
频率转换:100MHz, 120MHz
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:8-SOIC
NJX1675PDR2G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NJX1675PDR2G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NJX1675PDR2G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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