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NJX1675PDR2G

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零件编号 :: NJX1675PDR2G

制造商: Rochester Electronics

描述: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 阵列

可用性: 239921 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 28 - Dec 02 2024

PDF格式: NJX1675PDR2G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
晶体管型:	NPN, PNP
电流 - 集电极 (ic) (max):	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	30V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	180 @ 1A, 2V
功率 - 最大值:	2W
频率转换:	100MHz, 120MHz
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOIC

NJX1675PDR2G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NJX1675PDR2G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NJX1675PDR2G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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