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POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10

MJD112-1G

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

MJD112-1G

制造商
Rochester Electronics
描述
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10
目录
晶体管 - 双极 (bjt) - 单
可用性
1238585 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
PDF格式
MJD112-1G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
晶体管型:NPN - Darlington
电流 - 集电极 (ic) (max):2 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:100 V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大值）:20µA
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大值:1.75 W
频率转换:25MHz
工作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
包/箱:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商设备包:I-PAK
MJD112-1G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 MJD112-1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为MJD112-1G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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