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2SCR586D3TL1

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零件编号 :: 2SCR586D3TL1

制造商: ROHM Semiconductor

描述: POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单

可用性: 11065 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

PDF格式: 2SCR586D3TL1 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN
电流 - 集电极 (ic) (max):	5 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	80 V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	300mV @ 100mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	1µA (ICBO)
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 500mA, 3V
功率 - 最大值:	10 W
频率转换:	200MHz
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:	TO-252

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