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NJVMJD112T4G

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零件编号 :: NJVMJD112T4G

制造商: Rochester Electronics

描述: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP

目录: 晶体管 - 双极 (bjt) - 单

可用性: 41900 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Jun 15 - Jun 19 2025

PDF格式: NJVMJD112T4G PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
晶体管型:	NPN - Darlington
电流 - 集电极 (ic) (max):	2 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）:	100 V
vce 饱和度（最大值）@ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大值）:	20µA
直流电流增益 (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大值:	20 W
频率转换:	25MHz
工作温度:	-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包:	DPAK

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