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NTHC5513T1G

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MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

NTHC5513T1G

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零件编号 :

NTHC5513T1G

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
17219 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
May 03 - May 07 2024
PDF格式
NTHC5513T1G PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N and P-Channel
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:2.9A, 2.2A
rds on (max) @ id, vgs:80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:4nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:180pF @ 10V
功率 - 最大值:1.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-SMD, Flat Lead
供应商设备包:ChipFET™
NTHC5513T1G 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NTHC5513T1G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NTHC5513T1G 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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