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MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

APTM100H18FG

APTM100H18FG

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

APTM100H18FG

制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
608860 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
May 18 - May 22 2024
PDF格式
APTM100H18FG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:4 N-Channel (H-Bridge)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):1000V (1kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:43A
rds on (max) @ id, vgs:210mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:372nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:10400pF @ 25V
功率 - 最大值:780W
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:SP6
供应商设备包:SP6
APTM100H18FG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 APTM100H18FG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为APTM100H18FG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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