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APTM100H18FG

APTM100H18FG

MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

APTM100H18FG

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零件编号 :

APTM100H18FG

制造商
Roving Networks / Microchip Technology
描述
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
608860 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
APTM100H18FG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Active
场效应管类型:4 N-Channel (H-Bridge)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):1000V (1kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:43A
rds on (max) @ id, vgs:210mOhm @ 21.5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:5V @ 5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:372nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:10400pF @ 25V
功率 - 最大值:780W
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:SP6
供应商设备包:SP6
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