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NVMD6N03R2G

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零件编号 :: NVMD6N03R2G

制造商: Rochester Electronics

描述: N-CHANNEL POWER MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 14915 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Jan 24 - Jan 28 2025

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6A
rds on (max) @ id, vgs:	32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	30nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	950pF @ 24V
功率 - 最大值:	1.29W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOIC

NVMD6N03R2G 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NVMD6N03R2G 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NVMD6N03R2G 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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