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MSCSM120AM03CT6LIAG

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零件编号 :: MSCSM120AM03CT6LIAG

制造商: Roving Networks / Microchip Technology

描述: PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 119411 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N Channel (Phase Leg)
场效应管特征:	Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (vdss):	1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	805A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	3.1mOhm @ 400A, 20V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.8V @ 10mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	2320nC @ 20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	30200pF @ 1kV
功率 - 最大值:	3.215kW (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	Module
供应商设备包:	SP6C LI

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