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TSM250N02DCQ RFG

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MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN

TSM250N02DCQ RFG

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

TSM250N02DCQ RFG

制造商
TSC (Taiwan Semiconductor)
描述
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
149414 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
TSM250N02DCQ RFG PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:5.8A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:800mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:7.7nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:775pF @ 10V
功率 - 最大值:620mW
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:6-VDFN Exposed Pad
供应商设备包:6-TDFN (2x2)
TSM250N02DCQ RFG 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 TSM250N02DCQ RFG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为TSM250N02DCQ RFG 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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