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HS8K11TB

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零件编号 :: HS8K11TB

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 10668 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: HS8K11TB PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	7A, 11A
rds on (max) @ id, vgs:	17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	11.1nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	500pF @ 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-UDFN Exposed Pad
供应商设备包:	HSML3030L10

HS8K11TB 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 HS8K11TB 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为HS8K11TB 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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