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FDC6321C

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零件编号 :: FDC6321C

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 11986 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 05 - Nov 09 2025

PDF格式: FDC6321C PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N and P-Channel
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	680mA, 460mA
rds on (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	2.3nC @ 5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	50pF @ 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包:	SuperSOT™-6

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