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CSD86356Q5D

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零件编号 :: CSD86356Q5D

制造商: Texas Instruments

描述: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 069606 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 24 - Nov 28 2024

类型	描述
系列:	NexFET™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Half Bridge)
场效应管特征:	Logic Level Gate, 5V Drive
漏源电压 (vdss):	25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	40A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
功率 - 最大值:	12W (Ta)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerTDFN
供应商设备包:	8-VSON-CLIP (5x6)

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