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SH8J66TB1

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零件编号 :: SH8J66TB1

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 14413 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 07 - Nov 11 2025

PDF格式: SH8J66TB1 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	9A
rds on (max) @ id, vgs:	18.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	35nC @ 5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3000pF @ 10V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOP

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