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NTLJD3119CTBG

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零件编号 :: NTLJD3119CTBG

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 10713 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 14 - Nov 18 2024

PDF格式: NTLJD3119CTBG PDF

类型	描述
系列:	µCool™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N and P-Channel
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	20V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	2.6A, 2.3A
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.8A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	3.7nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	271pF @ 10V
功率 - 最大值:	710mW
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	6-WDFN Exposed Pad
供应商设备包:	6-WDFN (2x2)

NTLJD3119CTBG 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NTLJD3119CTBG 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NTLJD3119CTBG 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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