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NVMFD5C650NLT1G

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零件编号 :: NVMFD5C650NLT1G

制造商: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

描述: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 999999 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: NVMFD5C650NLT1G PDF

类型	描述
系列:	Automotive, AEC-Q101
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	60V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	21A (Ta), 111A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.2V @ 98µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2546pF @ 25V
功率 - 最大值:	3.5W (Ta), 125W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerTDFN
供应商设备包:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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