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ALD212900ASAL

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零件编号 :: ALD212900ASAL

制造商: Advanced Linear Devices, Inc.

描述: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 230023 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 10 - Nov 14 2025

PDF格式: ALD212900ASAL PDF

类型	描述
系列:	EPAD®, Zero Threshold™
包裹:	Tube
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	10.6V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	80mA
rds on (max) @ id, vgs:	14Ohm
vgs(th) (最大值) @ id:	10mV @ 20µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	30pF @ 5V
功率 - 最大值:	500mW
工作温度:	0°C ~ 70°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOIC

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