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IRF9389TRPBF

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零件编号 :: IRF9389TRPBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 450545 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: IRF9389TRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N and P-Channel
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6.8A, 4.6A
rds on (max) @ id, vgs:	27mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.3V @ 10µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	14nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	398pF @ 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SO

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