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FD6M033N06

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零件编号 :: FD6M033N06

制造商: Rochester Electronics

描述: N-CHANNEL POWER MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 11382 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

PDF格式: FD6M033N06 PDF

类型	描述
系列:	Power-SPM™
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	60V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	73A
rds on (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	129nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	6010pF @ 25V
功率 - 最大值:	-
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
包/箱:	EPM15
供应商设备包:	EPM15

FD6M033N06 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 FD6M033N06 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为FD6M033N06 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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