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SQJQ906E-T1_GE3

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MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8

SQJQ906E-T1_GE3

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零件编号 :

SQJQ906E-T1_GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
11899 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
SQJQ906E-T1_GE3 PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Standard
漏源电压 (vdss):40V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:95A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:42nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3600pF @ 20V
功率 - 最大值:50W
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:PowerPAK® 8 x 8 Dual
供应商设备包:PowerPAK® 8 x 8 Dual
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