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BSC750N10NDGATMA1

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零件编号 :: BSC750N10NDGATMA1

制造商: Rochester Electronics

描述: PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM,

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 12624 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

PDF格式: BSC750N10NDGATMA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	100V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	3.2A
rds on (max) @ id, vgs:	75mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 12µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	11nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	720pF @ 50V
功率 - 最大值:	26W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerVDFN
供应商设备包:	PG-TDSON-8-4

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