BSM180D12P2E002

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零件编号 :: BSM180D12P2E002

制造商: ROHM Semiconductor

描述: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 224522 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Half Bridge)
场效应管特征:	Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (vdss):	1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	204A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 35.2mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	18000pF @ 10V
功率 - 最大值:	1360W (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	Module
供应商设备包:	Module

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