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TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

PD57006STR-E

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零件编号 :

PD57006STR-E

制造商
STMicroelectronics
描述
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
目录
晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频
可用性
511951 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
PD57006STR-E PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Obsolete
晶体管型:LDMOS
频率:945MHz
获得:15dB
电压测试:28 V
额定电流（安培）:1A
噪声系数:-
电流测试:70 mA
功率输出:6W
额定电压:65 V
包/箱:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
供应商设备包:PowerSO-10RF (Straight Lead)
PD57006STR-E 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 PD57006STR-E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为PD57006STR-E 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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