A2T18S261W12NR3

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零件编号 :: A2T18S261W12NR3

制造商: NXP Semiconductors

描述: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

目录: 晶体管 - 场效应晶体管，场效应晶体管 - 射频

可用性: 443644 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 27 - Dec 01 2024

PDF格式: A2T18S261W12NR3 PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)
零件状态:	Obsolete
晶体管型:	LDMOS
频率:	1.805GHz ~ 1.88GHz
获得:	18.2dB
电压测试:	28 V
额定电流（安培）:	10µA
噪声系数:	-
电流测试:	1.5 A
功率输出:	280W
额定电压:	65 V
包/箱:	OM-880X-2L2L
供应商设备包:	OM-880X-2L2L

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