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BSH111,215

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MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

BSH111,215

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 55V 335MA TO236AB
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
412824 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 24 - Dec 28 2024
PDF格式
BSH111,215 PDF
类型 描述
系列:TrenchMOS™
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:335mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:4Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1.3V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:1 nC @ 8 V
vgs (最大值):±10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:40 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:830mW (Tc)
工作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-236AB
包/箱:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSH111,215 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 BSH111,215 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为BSH111,215 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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