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TPH3207WS

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零件编号 :: TPH3207WS

制造商: Transphorm

描述: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 522352 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 05 - Dec 09 2024

PDF格式: TPH3207WS PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tube
零件状态:	Obsolete
场效应管类型:	N-Channel
技术:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):	650 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	50A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 32A, 8V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.65V @ 700µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	42 nC @ 8 V
vgs (最大值):	±18V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2197 pF @ 400 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	178W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-247-3
包/箱:	TO-247-3

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