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IPB100N06S3-04

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MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

IPB100N06S3-04

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零件编号 :

IPB100N06S3-04

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11000 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 26 - Dec 30 2024
PDF格式
IPB100N06S3-04 PDF
类型 描述
系列:OptiMOS™
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:100A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:4.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 150µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:314 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:14.23 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:214W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PG-TO263-3-2
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB100N06S3-04 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 IPB100N06S3-04 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为IPB100N06S3-04 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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