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IPD15N06S2L64ATMA2

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MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31

IPD15N06S2L64ATMA2

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

IPD15N06S2L64ATMA2

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11352 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 06 - Nov 10 2024
PDF格式
IPD15N06S2L64ATMA2 PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):55 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:19A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:64mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 14µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:354 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):47W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PG-TO252-3-11
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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