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SQM120N04-1M7L_GE3

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MOSFET N-CH 40V 120A TO263

SQM120N04-1M7L_GE3

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零件编号 :

SQM120N04-1M7L_GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
14731 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 13 - Nov 17 2024
PDF格式
SQM120N04-1M7L_GE3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:285 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:14606 pF @ 20 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:375W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:TO-263
包/箱:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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