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FQT4N20LTF

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MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

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HEAVY INDUSTRIAL 232/422/485 TO

8D3425W04BE

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8D 56C 48#20 8#16 SKT RECP

BACC63DC15-19PE

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BACC 19C 19#20 PIN RECP

FQT4N20LTF

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零件编号 :

FQT4N20LTF

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11747 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 17 - Nov 21 2024
PDF格式
FQT4N20LTF PDF
类型 描述
系列:QFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:850mA (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.35Ohm @ 425mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:5.2 nC @ 5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:310 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2.2W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:SOT-223-4
包/箱:TO-261-4, TO-261AA
FQT4N20LTF 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 FQT4N20LTF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为FQT4N20LTF 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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