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IRFHM8334TRPBF

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零件编号 :: IRFHM8334TRPBF

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 12773 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Jan 24 - Jan 28 2025

PDF格式: IRFHM8334TRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	13A (Ta), 43A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.35V @ 25µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1180 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.7W (Ta), 28W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
包/箱:	8-PowerVDFN

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