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IRLHM630TRPBF

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零件编号 :: IRLHM630TRPBF

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 16000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Dec 26 - Dec 30 2024

PDF格式: IRLHM630TRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	21A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 20A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:	1.1V @ 50µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	62 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):	±12V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	3170 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	2.7W (Ta), 37W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	PQFN (3x3)
包/箱:	8-VQFN Exposed Pad

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