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NTMFS4833NAT1G

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零件编号 :: NTMFS4833NAT1G

制造商: Rochester Electronics

描述: MOSFET N-CH 30V 16A/191A 5DFN

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 13500 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 22 - Nov 26 2024

类型	描述
系列:	-
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	16A (Ta), 191A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	-
rds on (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	150 nC @ 11.5 V
vgs (最大值):	-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	7.5 pF @ 12 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	-
工作温度:	-
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包/箱:	8-PowerTDFN

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