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NTD60N02R-001

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零件编号 :

NTD60N02R-001

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 25V 8.5A/50A DPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
152772 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 25 - Oct 29 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):25 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:8.5A (Ta), 50A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:-
rds on (max) @ id, vgs:10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1330 pF @ 20 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:1.25W (Ta), 58W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:DPAK (SINGLE GAUGE)
包/箱:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NTD60N02R-001 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 NTD60N02R-001 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为NTD60N02R-001 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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