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NP82N04NDG-S18-AY

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MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK

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零件编号 :

NP82N04NDG-S18-AY

制造商
Rochester Electronics
描述
MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11600 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 27 - Dec 31 2024
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101
包裹:Tube
零件状态:Obsolete
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:82A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):-
rds on (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:150 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:9000 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):1.8W (Ta), 143W (Tc)
工作温度:175°C
安装类型:Through Hole
供应商设备包:3-LDPAK
包/箱:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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