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PSMN6R0-30YLDX

PSMN6R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56

PSMN6R0-30YLDX

PSMN6R0-30YLDX

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零件编号 :

PSMN6R0-30YLDX

制造商
Nexperia
描述
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10959 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
PSMN6R0-30YLDX PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):30 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:66A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.2V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:13.7 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:832 pF @ 15 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:47W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:LFPAK56, Power-SO8
包/箱:SC-100, SOT-669
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