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SQJA20EP-T1_GE3

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MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8

SQJA20EP-T1_GE3

SQJA20EP-T1_GE3

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零件编号 :

SQJA20EP-T1_GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
15501 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 26 - Nov 30 2024
PDF格式
SQJA20EP-T1_GE3 PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):200 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:22.5A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3.5V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 25 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:68W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® SO-8
包/箱:PowerPAK® SO-8
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